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ACS300 Gen2 涂布機和顯影劑 用于晶圓級封裝的生產(chǎn)旋涂/開發(fā)集群 ACS300 Gen2 是一個模塊化集群系統(tǒng)，旨在滿足制造商對 200 和 300 毫米晶圓的清潔、可靠、高吞吐量和模塊化光刻處理的需求。

詳細介紹 Seehund® A型氣相分解金屬沾污收集設備（VPD）是專為集成電路制造、大晶圓生產(chǎn)及再生、先導工藝研發(fā)等行業(yè)提供金屬沾污控制方案的產(chǎn)品。由于目前的晶圓制造產(chǎn)業(yè)對金屬沾污控制的要求已經(jīng)遠遠低于TXRF和ICP-MS能夠測量的極限，需要采用VPD對晶圓表面沾污做富集，才能突破檢測靈敏度極限，滿足晶圓產(chǎn)線的需求。該設備采用了12英寸及8英寸產(chǎn)線設備所通用的國際標準零部件，符合SEMI的設計

詳細介紹 Shale® A系列等離子體增強化學氣相沉積設備（PECVD），通過平行電容板電場放電產(chǎn)生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較好的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。該設備采用了8英寸產(chǎn)線設備所通用的國際標準零部件，符合SEMI的設計標準，并通過了嚴苛的穩(wěn)定性和可靠性測試驗證。

Shale® C系列電感耦合等離子體化學氣相沉積設備（ICP-CVD），通過電感耦合（ICP）產(chǎn)生高密度等離子體，并通過電容耦合（CCP）產(chǎn)生偏壓，可實現(xiàn)低溫、高致密、低損傷、優(yōu)填充能力的薄膜沉積工藝。該設備采用了8英寸產(chǎn)線設備所通用的國際標準零部件，符合SEMI的設計標準，并通過了嚴苛的穩(wěn)定性和可靠性測試驗證。

詳細介紹 CCP腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術。在反應離子刻蝕過程中，等離子體中會包含大量的活性粒子，與表面原子產(chǎn)生化學反應，生成可揮發(fā)產(chǎn)物后，隨真空抽氣系統(tǒng)排出。魯汶儀器的 Haasrode® Avior® A 在性價比和空間利用率上優(yōu)點突出，可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。

Pishow® D 系列深刻蝕設備，是針對8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的專用設備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設計，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。 提供Si Bosch工藝的解決方案。 該設備高性價比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，可幫助不同客戶實現(xiàn)產(chǎn)能升級。