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化合物半導體沉積系統AIX 2800G4-TM （IC2）“基于 GaAs/InP 的光電子學和射頻應用的 HVM 最佳反應器”

金屬有機源氣相沉積系統MOCVD主要由真空室反應系統、氣體（載氣與氣相有機源）輸運控制系統、有機源蒸發輸運控制系統、電源控制系統、尾氣處理及安全保護報警系統組成。 MOCVD系統作為化合物半導體、超導等薄膜材料研究和生產的手段，特別是作為工業化生產的設備，有著其它半導體設備無法替代的優點。它的高質量、穩定性、重復性及多功能性越來越為人們所重視。

產品概述： 高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統主要由真空反應室、上蓋組件、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。 設備用途： 高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積PECVD就是化學氣相沉積法，是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。

高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結）、1個進樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機械手、抽氣系統、安裝機臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統等部分組成。

產品概述： 系統主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結）、1個進樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機械手、抽氣系統、安裝機臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統等部分組成。 設備用途： 團簇型等離子體化學氣相沉積設備（PECVD），采用等離子體增強化學氣相沉積技術，在光學玻璃、硅片、石英、不銹鋼片等不同襯底材料上，沉積氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧

高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。 本系統具有PECVD功能和熱絲CVD功能。 設備用途： PECVD即是化學氣相沉積法，是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。