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PD-220N是用于沉積各種硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等離子體CVD系統(tǒng)。 PD-220N在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時，占地面積比本公司的傳統(tǒng)系統(tǒng)小40%。 從研究到半大規(guī)模生產(chǎn)，它的應用范圍很廣。

PD-3800L 化學氣相沉積系統(tǒng)是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)。該系統(tǒng)由于采用了大型反應室，并通過載盤裝載多片晶圓進行批量處理，因此產(chǎn)量較高。在直徑360mm的區(qū)域內(nèi)可以沉積出具有優(yōu)異的厚度均勻性和應力控制的薄膜，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面用于參數(shù)控制和配方存儲。

PD-220NL 是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了PECVD的所有標準功能。可在直徑220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲。該系統(tǒng)是研發(fā)用薄膜沉積以及試生產(chǎn)的理想選擇。

AL-1無針孔薄膜沉積設備通過交替向反應室提供有機金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應沉積薄膜，實現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量。此外，可以在高寬比的孔內(nèi)壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜。可同時沉積3片ø4英寸的晶片。

PD-2201LC 是一種盒式裝載等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 設備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)在節(jié)省空間的提下提供了PECVD的所有標準功能。可在直徑220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復性。

iTops PVD ITO 濺射系統(tǒng)，加熱能力、精確的溫度控制、優(yōu)異的真空能力.高晶體質(zhì)量的氮化鋁薄膜及優(yōu)異的薄膜厚度均勻性。