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原子層沉積儀器ALD

簡要描述:用于電池、太陽能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層,是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應用的理想選擇。各種類型鋰離子和固態(tài)電池的陰極和陽極的鈍化,用于柔性太陽能電池的導電層和封裝,用于柔性電子產(chǎn)品的防潮層。

  • 產(chǎn)品型號:Genesis ALD
  • 廠商性質:經(jīng)銷商
  • 更新時間:2025-06-05
  • 訪  問  量: 559

詳細介紹

1 產(chǎn)品概述:

    原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)是一種先進的薄膜沉積技術,它通過化學反應將物質以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面。這種技術屬于化學氣相沉積的一種,但其在于其自限制性和互補性,使得對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力。ALD廣泛應用于力學、物理學、材料科學以及納米技術等領域。

2 設備用途:

原子層沉積設備主要用于在各種基底上沉積高質量的薄膜,其應用范圍包括但不限于:

  1. 半導體領域:用于晶體管柵極電介質層(如高k材料)、光電元件的涂層、集成電路中的互連種子層、DRAMMRAM中的電介質層,以及集成電路中嵌入電容器的電介質層等。

  2. 納米技術領域:用于制備中空納米管、隧道勢壘層、光電電池性能的提高、納米孔道尺寸的控制、高寬比納米圖形、納米晶體、納米結構、中空納米碗等復雜納米結構。此外,還可用于納米顆粒、納米線等材料的涂層。

  3. 其他領域:包括微電子、食品包裝、光電、催化劑、儲能技術、航天器外殼聚合物涂層等

3 設備特點

  高度可控性:沉積參數(shù)(如厚度、成份和結構)高度可控,能夠精確控制薄膜的厚度至納米級甚至亞納米級。

  優(yōu)異的均勻性和一致性:所制備的薄膜保形性好、純度高且均勻,這對于提高器件性能至關重要。

  廣泛的適應性:設備能夠適應不同尺寸和形狀的基底,包括平面基底和復雜的三維結構。

  高效性:通過優(yōu)化工藝參數(shù),可以實現(xiàn)高效的薄膜沉積,提高生產(chǎn)效率。

  靈活性:可沉積多種類型的材料,包括金屬氧化物(如ZnOTiO2Al2O3SnO2)、金屬(如PtIr)等,滿足不同應用需求。
4
技術參數(shù)和特點:

  • 卷筒紙寬度:大420mm

  • ALD鍍膜厚度:大100nm

  • 動態(tài)沉積速率 (Al2O3): 10 nm *m/min

  • 過程溫度:高 250°C


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